Caractéristiques : 1. [Plage de 0,01 à 32 V] Adoptant une conception de canal de mesure indépendant, spécialement conçue pour les diodes Zener, avec une plage de mesure de 0,01 à 32 V, alimentation avant la mesure. 2. [Efficace et pratique] Prise en charge du décodage du signal infrarouge NRC pour faciliter les tests à distance. Ses fonctionnalités précises, efficaces et pratiques offrent une assistance précieuse aux utilisateurs. 3. [Carte de test remplaçable] Intégration innovante d'un support de patch remplaçable pour répondre facilement à divers besoins de test, offrant un confort et une efficacité sans précédent. 4. [Anti-brûlure] Dispose d'un mécanisme de protection humanisé qui décharge le condensateur non déchargé lors de l'insertion pour éviter toute brûlure, garantissant ainsi la sécurité pendant l'utilisation. 5. [Détection efficace] Branchez et fixez simplement, une simple pression sur un bouton permet d'identifier rapidement les paramètres des composants, économisant ainsi du temps et des efforts. Spécifications : Type d’article : Testeur de transistors Matériau : ABS Modèle : P1 Écran : 1,44 pouce Capacité de la batterie : 1 batterie au lithium rechargeable 300 mAh (intégrée) Caractéristiques de charge : USB Type-C, 5 V 1 A Dimensions : environ 71 x 87 x 28 mm / 2,80 x 3,43 x 1,10 po Catégorie Gamme Explication Triode 10<β<600 Facteur d'amplification hfe, tension base-émetteur Ube, Ic/le, courant de coupure inverse collecteur-émetteur lceo, lces, protection contre la chute de tension directe de la diode Uf Diode Chute de tension positive <4,5 V Chute de tension directe, capacité de jonction, courant de fuite inverse Diode Zener 0,01-4,5 V (zone de test 1-2-3) chute de tension directe, tension de claquage inverse 0,01-32 V Tension de claquage inverse (zone de test K-A-A) Transistor à effet de champ JFET Courant de drain ld sous la capacité de grille Cg, Vgs, protection contre la chute de tension directe Uf de la diode IGBT Courant de drain ld sous Vgs, protection contre la tension directe Chute de tension Uf de la diode MIOSTET Tension à vide Vt, capacité de grille Cg, résistance drain-source Rds, protection contre la chute de tension directe Uf de la diode Thyristor unidirectionnel Tension de mise en marche < 5 V Tension de grille Thyristor bidirectionnel Courant de déclenchement de grille < 6 mA Condensateur 25 pF-100 mF Capacité, coefficient de perte Vloss, résistance interne Résistance 0,01 Ω-50 MΩ Résistance Inductance 10 μH-1000 μH Inductance, résistance CC Batterie 0,1-4,5 V Tension, polarités positive et négative Contenu : 1 testeur de transistors, 1 carte de test, 1 câble de données, 1 manuel d’utilisation, 3 crochets de test